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　　，许多高新企业在这微观尺寸中不断追求卓越的技术创新。而目前的主流芯片制造中，光刻工艺是形成精细电路图案的核心技术之一。

　　光刻图案的形成离不开光刻胶的涂覆，我们可以通过三种方法将光刻胶涂覆在晶圆上，包括旋涂（Spin Coating）、薄膜层压（Film Lamination）和喷涂（Spray Coating），其中应用较多的是旋涂技术。今天，优可测与你一起探索光刻胶旋涂背后的奥秘！

　　光刻胶旋涂主要是通过旋转衬底的方式涂覆光刻胶，不同的光刻胶有不同的工艺参数要求，比如温度、光刻胶厚度、旋转速度等。

　　光刻工艺流程主要包括膜底准备→光刻胶旋涂→软烘→对准与曝光 →曝光后烘→显影→坚膜→检测。

　　光刻胶旋涂处于流程的起始阶段，为后续的曝光等步骤提供了均匀的感光介质，保证曝光区域的感光效果一致。

　　有统计数据显示，因光刻胶旋涂不良导致的芯片报废率每降低1%，每年可为芯片制造企业节省数百万美元的成本 。差之毫厘，谬以千里，监测光刻胶旋涂厚度对整个芯片制造流程的质量与效益起着关键作用。

　　在曝光环节，光刻胶的厚度关联着曝光过程中的光吸收量，依据光学吸收定律，光刻胶的厚度波动会导致光吸收的不均匀性，进而致使曝光后的线条出现变宽、变形等问题。

　　在刻蚀环节，光刻胶需要承担保护不需要刻蚀区域的责任。厚度过薄，光刻胶难以抵御刻蚀液的侵蚀，导致不该刻蚀的区域被破坏；厚度过厚，则容易残留杂质，同样会影响电路结构。2020 年发表于《半导体技术》期刊的一项研究指出，在刻蚀过程中，光刻胶厚度的均匀性偏差每增加1%，刻蚀后电路图案的线%，这表明了光刻胶厚度对刻蚀精度的重要影响。

　　优可测薄膜厚度测量仪AF-3000系列，为客户搭建Mapping解决方案：快速分析光刻胶、刻蚀厚度的均一性，提供工艺调整方向

　　0.1nm，匹配度达，单点测量时间＜0.5s，充分满足客户所需测量精度效率，成功帮助客户在光刻胶涂覆环节节省光刻胶成本、提升检测效率、提高产品良率！