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　　多晶硅发射极双极型晶体管 PET 作者Xie M. X. (UESTC成都市) (常规 BJT 在提高频率上存在的主要问题是什么多晶硅发射极 BJT 的主要长处是什么) 对于一般的双极型晶体管BJT因为要获得很薄而又厚度均匀的基区宽度以提高频率特性就必须采用所谓浅结制作技术扩散或离子注入则这时发射区的厚度也必然很小目前 BJT 的发射结深度已经小于 0.1mm而n+型发射区的掺杂浓度即使高至 1020cm-3 时其中空穴的扩散长度仍然可比发射结深度要大可达到 0.17mm。因此这种浅的发射结将给器件带来一个很严重的问题即将导致基...

　　多晶硅发射极双极型晶体管 PET 作者Xie M. X. (UESTC成都市) (常规 BJT 在提高频率上存在的主要问题是什么多晶硅发射极 BJT 的主要长处是什么) 对于一般的双极型晶体管BJT因为要获得很薄而又厚度均匀的基区宽度以提高频率特性就必须采用所谓浅结制作技术扩散或离子注入则这时发射区的厚度也必然很小目前 BJT 的发射结深度已经小于 0.1mm而n+型发射区的掺杂浓度即使高至 1020cm-3 时其中空穴的扩散长度仍然可比发射结深度要大可达到 0.17mm。因此这种浅的发射结将给器件带来一个很严重的问题即将导致基区空穴往发射区注入所形成的浓度梯度增大这相当于短基区的 p-n 结使得发射结的注射效率降低并从而晶体管的放大系数降低。所以如何克服浅发射区的不良影响这是高频、微波和高速 BJT 中的一个极其重要的问题。 多晶硅的应用即解决了 BJT 浅发射区所带来的问题发展出所谓多晶硅发射极晶体管。由于多晶硅发射极晶体管的放大、高频和高速等性能大大优于常规的 BJT所以现在的硅双极型晶体管几乎都采用了多晶硅发射极的结构并且在超大规模集成电路中也越来越多地被采用了。目前应用多晶硅发射极晶体管的 ECL发射极耦合逻辑电路其信号传输延迟时间已经短于 100ps。 1多晶硅发射极晶体管PET ①基本结构 多晶硅发射极晶体管就是在薄发射区上先覆盖一层掺杂多晶硅薄膜、然后再在多晶硅薄膜上制作发射极金属电极即是在发射区与金属电极之间增加了一层掺杂多晶硅薄膜器件的结构如图 1 所示。